電磁兼容EMC整改是指產(chǎn)品在電磁兼容試驗(yàn)中的干擾大小和抗干擾能力的整改。對于電子產(chǎn)品和電源產(chǎn)品，在設(shè)計(jì)的時(shí)候是往往需要考慮其電磁兼容性，并通過電磁兼容試驗(yàn)和檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。即使是有經(jīng)驗(yàn)的工程師也會綜合考慮產(chǎn)品的電磁兼容設(shè)計(jì)，因此在設(shè)計(jì)和制造過程中會產(chǎn)生一些電磁干擾的問題。我們只能重新審視現(xiàn)有的電磁兼容問題，然后重新設(shè)計(jì)解決現(xiàn)有的電磁干擾。

主要有兩種情況，一種是在設(shè)計(jì)初期，當(dāng)樣品不符合要求時(shí)，進(jìn)行改動，從源頭上解決電磁干擾隱患。二是設(shè)計(jì)定型，開模，量產(chǎn)，材料加工，量產(chǎn)完成。這樣，只能做較小的改動，來解決出現(xiàn)的問題，從而達(dá)到電磁兼容的要求。目前，工程師一般依靠經(jīng)驗(yàn)和直覺以及從儀器設(shè)備中獲得的數(shù)據(jù)來分析問題。[敏感詞]就整改方法進(jìn)行簡要論述。

如果干擾源被削弱，可以在集成電路增加一個(gè)去耦電容，電容引線越短越好。在保證靈敏度和信噪比的前提下，可以增加衰減器。讓信號線作為干擾源。請注意，電線和電纜之間的耦合。低頻耦合是指電線長度等于或小于1/16波長的情況。低頻耦合可分為電場耦合和磁場耦合。電場耦合的物理模型為電容耦合。因此，整流主要是為了減小分布耦合電容或耦合量。增大電路間距是減小分布電容較有效的方法。增加一個(gè)高導(dǎo)電屏蔽體，使屏蔽體在一個(gè)點(diǎn)接地，可以有效地抑制低頻電場的干擾。增加一個(gè)濾波器可以減少兩個(gè)電路之間的耦合。輸入阻抗可以減小。當(dāng)CMOS電路的輸入阻抗較高時(shí)，可以在輸入端并聯(lián)一個(gè)低電阻的電容或電阻。

高頻耦合指的是超過1/4波長的布線。由于電路中電壓和電流的駐波會增加耦合量，盡量縮短接地線，與殼體接地盡量采用表面接觸法。防止輸入線和輸出線之間的耦合。屏蔽電纜的屏蔽層采用多點(diǎn)接地。將連接器的懸掛銷連接到地電位，以防止其天線效應(yīng)。改善地面系統(tǒng)。減小低阻抗和電源饋線阻抗。正確選擇接地方式，封堵接地回路。接地方式一般有懸掛接地、單點(diǎn)接地、多點(diǎn)接地和混合接地。如果敏感線的干擾主要來自外部或系統(tǒng)外殼，可采用浮地方式解決。但是，浮地設(shè)備容易產(chǎn)生靜電積聚，當(dāng)電荷達(dá)到一定程度時(shí)，會產(chǎn)生靜電放電，因此浮地不適合一般電子設(shè)備。單點(diǎn)接地適用于低頻電路。為了防止工頻電流和其他雜散電流在信號地線上各點(diǎn)之間產(chǎn)生地電位差，信號地線與電源和安全地線隔離，并在電源線接地點(diǎn)的一個(gè)點(diǎn)上連接。多點(diǎn)接地是高頻信號實(shí)用的接地方式，它能反映出傳輸線在射頻環(huán)境中的特性。為了使多點(diǎn)接地有效，當(dāng)接地導(dǎo)體長度超過較高頻率波長的1/8時(shí)，多點(diǎn)接地需要一個(gè)等電位接地。混合接地適用于高頻和低頻電子線路。屏蔽能有效抑制通過空間傳播的各種電磁干擾，可分為磁場屏蔽、電場屏蔽和電磁屏蔽。選擇高導(dǎo)電性和良好接地的材料。接地點(diǎn)選擇正確，形狀合理，屏蔽直接接地為佳。